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3
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SS12P4C
Vishay General Semiconductor
New Product
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junc
tion Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient IThermal mpedance Per Diode
D = 0.3
D = 0.5
Average Forward Current (A)
A
v
erage Po
w
er Loss (
W
)
0 1 2 3 4 5 6 7
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
D = tp/T tp
T
D = 1.0
D = 0.8
D = 0.1
D = 0.2
0.1
1
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.
8
0.9
TA
= 25 °C
TA= 125 °C
TA
= 100 °C
0.01
1
10
100
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
0.1
TA= 125 °C
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
10
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
10
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
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